Справочник транзисторов. 2SD600

 

Биполярный транзистор 2SD600 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD600
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD600

 

 

2SD600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  sanyo
2sd600.pdf

2SD600
2SD600

Ordering number:346GPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB631,631K/2SD600,600K100V/120V, 1A Low-FrequencyPower Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, Highunit:mmcurrent 1A.2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity.[2SB631, 631K/2SD600, 600K]1 : Emitter2 : Collector3 : Base( ) : 2SB631, 631K

 ..2. Size:195K  inchange semiconductor
2sd600 2sd600k.pdf

2SD600
2SD600

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD600 2SD600K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB631/631K High breakdown voltage VCEO100/120V High current 1A Low saturation voltage APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mount

 ..3. Size:214K  inchange semiconductor
2sd600.pdf

2SD600
2SD600

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD600DESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SB631Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applicationsABSOLU

 0.1. Size:115K  sanyo
2sd600k.pdf

2SD600
2SD600

Ordering number:346GPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB631,631K/2SD600,600K100V/120V, 1A Low-FrequencyPower Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, Highunit:mmcurrent 1A.2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity.[2SB631, 631K/2SD600, 600K]1 : Emitter2 : Collector3 : Base( ) : 2SB631, 631K

 0.2. Size:405K  blue-rocket-elect
2sd600k.pdf

2SD600
2SD600

2SD600K(BR3DA600KQF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features V , 2SB631K(BR3CA631KQF) CEOHigh VCEO ,high current, low VCE(sat) and good linearity of hFE; complementary pair with 2SB63

 0.3. Size:214K  inchange semiconductor
2sd600k.pdf

2SD600
2SD600

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD600KDESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SB631KMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applicationsABSO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top