2SD600. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD600

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD600

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD600 даташит

 ..1. Size:126K  sanyo
 2sd600.pdf pdf_icon

2SD600

Ordering number 346G PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB631,631K/2SD600,600K 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, High unit mm current 1A. 2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity. [2SB631, 631K/2SD600, 600K] 1 Emitter 2 Collector 3 Base ( ) 2SB631, 631K

 ..2. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd600 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD600 2SD600K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB631/631K High breakdown voltage VCEO100/120V High current 1A Low saturation voltage APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mount

 ..3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd600.pdf pdf_icon

2SD600

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD600 DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.0A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Complement to Type 2SB631 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLU

 0.1. Size:115K  sanyo
 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600

Ordering number 346G PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB631,631K/2SD600,600K 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, High unit mm current 1A. 2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity. [2SB631, 631K/2SD600, 600K] 1 Emitter 2 Collector 3 Base ( ) 2SB631, 631K

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD596DV5, 2SD596V1, 2SD596V2, 2SD596V3, 2SD597, 2SD598, 2SD599, 2SD60, D965, 2SD600D, 2SD600E, 2SD600F, 2SD600K, 2SD600KD, 2SD600KE, 2SD600KF, 2SD601