2SD600KE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD600KE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD600KE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD600KE даташит

 7.1. Size:115K  sanyo
 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600KE

Ordering number 346G PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB631,631K/2SD600,600K 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, High unit mm current 1A. 2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity. [2SB631, 631K/2SD600, 600K] 1 Emitter 2 Collector 3 Base ( ) 2SB631, 631K

 7.2. Size:405K  blue-rocket-elect
 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600KE

2SD600K(BR3DA600KQF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features V , 2SB631K(BR3CA631KQF) CEO High VCEO ,high current, low VCE(sat) and good linearity of hFE; complementary pair with 2SB63

 7.3. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd600 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600KE

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD600 2SD600K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB631/631K High breakdown voltage VCEO100/120V High current 1A Low saturation voltage APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mount

 7.4. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600KE

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD600K DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.0A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Complement to Type 2SB631K Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD599, 2SD60, 2SD600, 2SD600D, 2SD600E, 2SD600F, 2SD600K, 2SD600KD, BC556, 2SD600KF, 2SD601, 2SD601A, 2SD602, 2SD602A, 2SD603, 2SD604, 2SD605