Биполярный транзистор 2SD626 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD626
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO3
2SD626 Datasheet (PDF)
2sd627.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Coll
2sd628.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)CEO(sus)High DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE (sat) CComplement to Type 2SB638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050