2SD650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD650

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD650 даташит

 ..1. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd650.pdf pdf_icon

2SD650

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD650 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Power Dissipation Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for line operated switchmode applications such as Switching regu

 9.1. Size:29K  hitachi
 2sd655.pdf pdf_icon

2SD650

2SD655 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier, Muting Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SD655 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector to emitter voltage VCEO 15 V Emitter to base voltage VEBO 5V Collector current IC 0.7 A Collector peak current iC(peak) 1.0 A

 9.2. Size:589K  blue-rocket-elect
 2sd655.pdf pdf_icon

2SD650

2SD655(BR3DG655K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Low frequency. / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / Pinning 1 2 3 PIN1 Base PIN 2

 9.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd651.pdf pdf_icon

2SD650

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD651 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Power Dissipation Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD646, 2SD646A, 2SD647, 2SD647A, 2SD648, 2SD648A, 2SD649, 2SD65, BC546, 2SD650H, 2SD651, 2SD652, 2SD654, 2SD655, 2SD656, 2SD657, 2SD658