2SD67. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD67

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD67

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD67 даташит

 0.1. Size:38K  no
2sd673a.pdfpdf_icon

2SD67

 0.2. Size:188K  inchange semiconductor
2sd679.pdfpdf_icon

2SD67

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD679 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 3A CE(sat) C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose ampl

 0.3. Size:207K  inchange semiconductor
2sd673.pdfpdf_icon

2SD67

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD673 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 60W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB653 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 0.4. Size:184K  inchange semiconductor
2sd670.pdfpdf_icon

2SD67

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD670 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 10A CE(sat) C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stage

Другие транзисторы: 2SD668D, 2SD669, 2SD669A, 2SD669AB, 2SD669AC, 2SD669B, 2SD669C, 2SD669D, 2SD669, 2SD670, 2SD670H, 2SD671, 2SD672, 2SD673, 2SD673A, 2SD674, 2SD674A