2SD679A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD679A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD679A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD679A даташит

 8.1. Size:188K  inchange semiconductor
2sd679.pdfpdf_icon

2SD679A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD679 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 3A CE(sat) C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose ampl

 9.1. Size:38K  no
2sd673a.pdfpdf_icon

2SD679A

 9.2. Size:207K  inchange semiconductor
2sd673.pdfpdf_icon

2SD679A

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD673 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 60W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB653 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 9.3. Size:184K  inchange semiconductor
2sd670.pdfpdf_icon

2SD679A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD670 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 10A CE(sat) C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stage

Другие транзисторы: 2SD675, 2SD675A, 2SD676, 2SD676A, 2SD677, 2SD678, 2SD678A, 2SD679, BD333, 2SD68, 2SD680, 2SD680A, 2SD681, 2SD681A, 2SD682, 2SD682A, 2SD683