2SD692. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD692
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2SD692
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD692 даташит
2sd692.pdf
isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- h = 1000 (Min) @ I =1 Adc FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier a
Другие транзисторы: 2SD685, 2SD686, 2SD687, 2SD688, 2SD689, 2SD69, 2SD690, 2SD691, TIP122, 2SD693, 2SD694, 2SD695, 2SD696, 2SD696A, 2SD697, 2SD697A, 2SD698
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet



