2SD699. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD699

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD699

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD699 даташит

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD699

 9.2. Size:125K  panasonic
 2sd691 2sd692.pdf pdf_icon

2SD699

 9.3. Size:86K  panasonic
 2sd693.pdf pdf_icon

2SD699

 9.4. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd692.pdf pdf_icon

2SD699

isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- h = 1000 (Min) @ I =1 Adc FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD693, 2SD694, 2SD695, 2SD696, 2SD696A, 2SD697, 2SD697A, 2SD698, 2N3906, 2SD70, 2SD700, 2SD702, 2SD703, 2SD704, 2SD705, 2SD706, 2SD707