2SD70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD70

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD70 даташит

 0.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd705.pdf pdf_icon

2SD70

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD705 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver General purpose power amplifiers ABSOLUTE

 0.2. Size:182K  inchange semiconductor
 2sd706.pdf pdf_icon

2SD70

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD706 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver General purpose power amplifiers ABSOLUTE

Другие транзисторы: 2SD694, 2SD695, 2SD696, 2SD696A, 2SD697, 2SD697A, 2SD698, 2SD699, A1941, 2SD700, 2SD702, 2SD703, 2SD704, 2SD705, 2SD706, 2SD707, 2SD708