2SD709. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD709

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD709

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD709 даташит

 9.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd705.pdf pdf_icon

2SD709

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD705 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver General purpose power amplifiers ABSOLUTE

 9.2. Size:182K  inchange semiconductor
 2sd706.pdf pdf_icon

2SD709

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD706 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver General purpose power amplifiers ABSOLUTE

Другие транзисторы: 2SD700, 2SD702, 2SD703, 2SD704, 2SD705, 2SD706, 2SD707, 2SD708, A733, 2SD71, 2SD710, 2SD711A, 2SD712, 2SD712A, 2SD713, 2SD715, 2SD716