2SD718R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD718R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SD718R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD718R даташит

 ..1. Size:195K  cn sptech
 2sd718r 2sd718o.pdf pdf_icon

2SD718R

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD718 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SB688 APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 8.1. Size:106K  utc
 2sd718.pdf pdf_icon

2SD718R

UTC 2SD718 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION FEATURES *Recommended for 45 50W Audio Frequency *Amplifier Output Stage. *Complementary to 2SB688. 1 TO-3P 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO 120 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage

 8.2. Size:118K  mospec
 2sd718.pdf pdf_icon

2SD718R

A A A

 8.3. Size:610K  jilin sino
 2sd718.pdf pdf_icon

2SD718R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD716, 2SD716O, 2SD716R, 2SD717, 2SD717O, 2SD717Y, 2SD718, 2SD718O, 2SD313, 2SD72, 2SD720, 2SD721, 2SD722, 2SD723, 2SD724, 2SD725, 2SD726