Биполярный транзистор 2SD718R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD718R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO3P
2SD718R Datasheet (PDF)
2sd718r 2sd718o.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD718DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SB688APPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR
2sd718.pdf
UTC 2SD718 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION FEATURES *Recommended for 45~50W Audio Frequency *Amplifier Output Stage. *Complementary to 2SB688. 1TO-3P 1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Base Voltage VCBO 120 VCollector-Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter-Base Voltage
2sd718.pdf
NPN Silicon NPN Triple Diffused Transistor R 2SD718 SERIES APPLICATIONS Power Amplifier Applications FEATURES V =110V (min) High collector voltageV =110V (min) CEO CEOV =180V (min) V =180V (min) CEO CEO 2SB688 Complementary to 2SB688
2sd718 to3p.pdf
SEMICONDUCTOR2SD718TECHNICAL DATANPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONFEATURES *Recommended for 45~50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. *Complementary to 2SB688. 1TO-3P 1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector- VCBO 120 V Base Voltage Collector- VCEO 120 V Emitte
2sd718.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD718DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SB688Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicati
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N826
History: 2N826
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050