2SD72. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD72

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.21 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SD72

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD72 даташит

 ..1. Size:25K  no
 2sd72.pdf pdf_icon

2SD72

 0.1. Size:38K  no
 2sd721.pdf pdf_icon

2SD72

 0.2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sd725.pdf pdf_icon

2SD72

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD725 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO

 0.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd728.pdf pdf_icon

2SD72

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD728 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB692 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier and power switching applications. ABSOLUTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD716O, 2SD716R, 2SD717, 2SD717O, 2SD717Y, 2SD718, 2SD718O, 2SD718R, 2SD2499, 2SD720, 2SD721, 2SD722, 2SD723, 2SD724, 2SD725, 2SD726, 2SD727