2SD729H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD729H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD729H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD729H даташит

 9.1. Size:38K  no
 2sd721.pdf pdf_icon

2SD729H

 9.2. Size:25K  no
 2sd72.pdf pdf_icon

2SD729H

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
 2sd725.pdf pdf_icon

2SD729H

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD725 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO

 9.4. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd728.pdf pdf_icon

2SD729H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD728 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB692 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier and power switching applications. ABSOLUTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD722, 2SD723, 2SD724, 2SD725, 2SD726, 2SD727, 2SD728, 2SD729, 2SC2655, 2SD72K, 2SD73, 2SD730, 2SD73-0, 2SD731, 2SD732, 2SD732K, 2SD733