Справочник транзисторов. 2SD751

 

Биполярный транзистор 2SD751 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD751
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для 2SD751

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD751 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD751

 9.1. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD751

 9.2. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD751

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd750.pdf pdf_icon

2SD751

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MMBT4400 | KTC3879 | NE685M13 | 2SC154A | 2S123 | BCP669A | 3DA3063

 

 
Back to Top

 


 
.