Справочник транзисторов. 2SD756A

 

Биполярный транзистор 2SD756A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD756A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SD756A

 

 

2SD756A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:31K  hitachi
2sd755 2sd756.pdf

2SD756A
2SD756A

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

 9.1. Size:128K  panasonic
2sb713 2sd751.pdf

2SD756A
2SD756A

 9.2. Size:67K  hitachi
2sd757 2sd758.pdf

2SD756A

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
2sd750.pdf

2SD756A
2SD756A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT

 9.4. Size:199K  inchange semiconductor
2sd753.pdf

2SD756A
2SD756A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD753DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 150W(Max)@T =25C CHigh Current CapabilityComplement to Type 2SB723Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applica

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top