Справочник транзисторов. 2SD75A

 

Биполярный транзистор 2SD75A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD75A
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO1
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD75A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD75A

 9.2. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD75A

 9.3. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD75A

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

 9.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd750.pdf pdf_icon

2SD75A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD753 , 2SD754 , 2SD755 , 2SD756 , 2SD756A , 2SD757 , 2SD758 , 2SD759 , 13007 , 2SD75AH , 2SD75H , 2SD760 , 2SD761 , 2SD762 , 2SD762A , 2SD763 , 2SD764 .

 

 
Back to Top

 


 
.