2SD763 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD763 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SD763
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD763 даташит
2sd768.pdf
2SD768(K) Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 3 k 200 2 3 (Typ) (Typ) 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V Collector to emitter voltage VCEO 120 V Emitter to base voltage VEBO
2sd762 2sd762a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD762 2SD762A DESCRIPTION With TO-220C package Wide area of safe operation APPLICATIONS For audio freuqency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL
Другие транзисторы: 2SD759, 2SD75A, 2SD75AH, 2SD75H, 2SD760, 2SD761, 2SD762, 2SD762A, TIP122, 2SD764, 2SD765, 2SD766, 2SD767, 2SD768, 2SD768K, 2SD769, 2SD77
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet



