2SD77H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD77H
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO1
2SD77H Datasheet (PDF)
2sd777.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
2sd772.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min.) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.6V(Max.) @I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие транзисторы... 2SD773 , 2SD774 , 2SD776 , 2SD777 , 2SD778 , 2SD779 , 2SD77A , 2SD77AH , MJE340 , 2SD78 , 2SD780 , 2SD780DW1 , 2SD780DW2 , 2SD780DW3 , 2SD780DW4 , 2SD780DW5 , 2SD780V4 .
History: 2SA1576A-Q
History: 2SA1576A-Q
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726




