Справочник транзисторов. 2SD822

 

Биполярный транзистор 2SD822 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD822
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD822

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
2sd822.pdfpdf_icon

2SD822

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD822DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Collector Saturation Voltage-: V = 5.0V(Max.)@ I = 6ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 9.1. Size:646K  sanyo
2sd823.pdfpdf_icon

2SD822

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Res

 9.2. Size:132K  sanyo
2sd826.pdfpdf_icon

2SD822

Ordering number:EN538ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD82620V/5A Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low saturation voltage.unit:mm High hFE.2009A Large current capacity.[2SD826]8.02.74.03.01.60.80.80.60.51 : Emitter1 2 3 2 : Collector3 : Base2.4SANYO : TO-1264.8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 2

 9.3. Size:192K  wingshing
2sd820.pdfpdf_icon

2SD822

2SD820 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTORGENERAL DESCRIPTIONHighvoltage,high-speed switching npn transistors in a metal envelope , primarily for use in switching power circuites of colour television receiversTO-3QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNITCollector-emitter voltage peak value VBE = 0VVCESM - 1500 VCollector-emitter voltage (open base)VCEO - 6

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KTC3199L | 2SC2493

 

 
Back to Top

 


 
.