Биполярный транзистор 2SD829 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD829
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
Корпус транзистора: MT-200
Аналог (замена) для 2SD829
2SD829 Datasheet (PDF)
2sd823.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Res
2sd826.pdf

Ordering number:EN538ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD82620V/5A Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low saturation voltage.unit:mm High hFE.2009A Large current capacity.[2SD826]8.02.74.03.01.60.80.80.60.51 : Emitter1 2 3 2 : Collector3 : Base2.4SANYO : TO-1264.8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 2
2sd820.pdf

2SD820 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTORGENERAL DESCRIPTIONHighvoltage,high-speed switching npn transistors in a metal envelope , primarily for use in switching power circuites of colour television receiversTO-3QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNITCollector-emitter voltage peak value VBE = 0VVCESM - 1500 VCollector-emitter voltage (open base)VCEO - 6
2sd823.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD823DESCRIPTIONCollector Current: I = 6ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 90V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
Другие транзисторы... 2SD825 , 2SD825A , 2SD826 , 2SD826E , 2SD826F , 2SD826G , 2SD827 , 2SD828 , BC337 , 2SD83 , 2SD830 , 2SD831 , 2SD832 , 2SD833 , 2SD834 , 2SD835 , 2SD836 .
History: 2SC536KM | SK3114 | KRA759F | NESG3031M14 | BUL38D | BCP52T1 | 2SD1274B
History: 2SC536KM | SK3114 | KRA759F | NESG3031M14 | BUL38D | BCP52T1 | 2SD1274B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo