2SD858B datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD858B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD858B 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO218

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD858B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD858B даташит

8.1. Size:217K inchange semiconductor
2sd858.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD858 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Collector Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

9.1. Size:88K panasonic
2sd855.pdf pdf_icon