2SD859B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD859B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD859B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD859B даташит

 8.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd859.pdf pdf_icon

2SD859B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD859 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 250V(Min) (BR)CEO High Collector Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

 9.1. Size:88K  panasonic
 2sd855.pdf pdf_icon

2SD859B

 9.2. Size:109K  panasonic
 2sd857.pdf pdf_icon

2SD859B

 9.3. Size:111K  panasonic
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD859B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD857, 2SD857A, 2SD857B, 2SD858, 2SD858A, 2SD858B, 2SD859, 2SD859A, 13005, 2SD860, 2SD860A, 2SD860B, 2SD861, 2SD861A, 2SD861B, 2SD862, 2SD863