Справочник транзисторов. 2SD912

 

Биполярный транзистор 2SD912 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD912
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD912

 

 

2SD912 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:91K  panasonic
2sd917.pdf

2SD912
2SD912

 9.2. Size:94K  fuji
2sd916.pdf

2SD912
2SD912

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
2sd916.pdf

2SD912
2SD912

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD916DESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay& solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:180K  inchange semiconductor
2sd911.pdf

2SD912
2SD912

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD911DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityGood Linearity of hFEHigh ReliabilityWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio amplifierSeries regulatorsGenera

 9.5. Size:212K  inchange semiconductor
2sd917.pdf

2SD912
2SD912

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD917DESCRIPTIONHigh Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 330V(Min)(BR)CBOHigh Power DissipationHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top