2SD918 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD918  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: MT-200

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD918

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD918 даташит

 9.1. Size:91K  panasonic
 2sd917.pdf pdf_icon

2SD918

 9.2. Size:94K  fuji
 2sd916.pdf pdf_icon

2SD918

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd916.pdf pdf_icon

2SD918

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD916 DESCRIPTION High DC Current Gain Low Saturation Voltage High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers Relay& solenoid drivers Motor controls General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd911.pdf pdf_icon

2SD918

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD911 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Current Capability Good Linearity of h FE High Reliability Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio amplifier Series regulators Genera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD910, 2SD911, 2SD912, 2SD913, 2SD914, 2SD915, 2SD916, 2SD917, 9014, 2SD919, 2SD92, 2SD920, 2SD921, 2SD922, 2SD923, 2SD926, 2SD927