2SD920 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD920 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD920 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 700

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD920

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD920 даташит

..1. Size:198K inchange semiconductor
2sd920.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD920 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for series regulators ,

9.1. Size:43K fuji
2sd929.pdf pdf_icon