2SD926 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD926  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD926 даташит

 9.1. Size:43K  fuji
 2sd929.pdf pdf_icon

2SD926

 9.2. Size:117K  fuji
 2sd923.pdf pdf_icon

2SD926

 9.3. Size:115K  fuji
 2sd921.pdf pdf_icon

2SD926

 9.4. Size:200K  inchange semiconductor
 2sd929.pdf pdf_icon

2SD926

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD929 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO High Reliability Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD917, 2SD918, 2SD919, 2SD92, 2SD920, 2SD921, 2SD922, 2SD923, 2SC2655, 2SD927, 2SD928, 2SD929, 2SD93, 2SD930, 2SD931, 2SD932, 2SD933