30DB040D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 30DB040D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 45 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: X240

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 30DB040D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

30DB040D даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2T7638, 2T9135, 2T9137, 2T9138, 2T9139, 2T9140, 30DA060D, 30DA070D, 8050, 35DB070D, 35DB080D, 37740, 37741, 38387, 38388, 38647, 3N100