35DB070D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 35DB070D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Корпус транзистора: X240
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам