Биполярный транзистор 3N112 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 3N112
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам