3N114 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N114  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N114

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N114 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 3N106, 3N107, 3N108, 3N109, 3N110, 3N111, 3N112, 3N113, 2SC5198, 3N115, 3N116, 3N117, 3N118, 3N119, 3N120, 3N121, 3N123