3N35 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N35  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO12

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N35 даташит

 0.1. Size:164K  fairchild semi
 mtp3n35 mtp3n40.pdf pdf_icon

3N35

Другие транзисторы: 3N130, 3N131, 3N132, 3N133, 3N134, 3N135, 3N136, 3N34, TIP32C, 3N35A, 3N56, 3N57, 3N62, 3N63, 3N64, 3N65, 3N66