40231 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 40231  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 40231

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

40231 даташит

 0.1. Size:307K  ruichips
 ru40231r.pdf pdf_icon

40231

RU40231R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/230A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

 0.2. Size:298K  ruichips
 ru40231q2.pdf pdf_icon

40231

RU40231Q2 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/230A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-3P (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

Другие транзисторы: 40082, 40084, 40217, 40218, 40219, 40220, 40221, 40222, TIP127, 40232, 40233, 40234, 40235, 40236, 40237, 40238, 40239