40231 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 40231
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO18
40231 Datasheet (PDF)
ru40231r.pdf
RU40231R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/230A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications
ru40231q2.pdf
RU40231Q2 N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/230A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-3P (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications
Другие транзисторы... 40082 , 40084 , 40217 , 40218 , 40219 , 40220 , 40221 , 40222 , TIP127 , 40232 , 40233 , 40234 , 40235 , 40236 , 40237 , 40238 , 40239 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g



