40317 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 40317

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 40317

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

40317 даташит

 0.1. Size:346K  panasonic
sk840317.pdfpdf_icon

40317

Doc No. TT4-EA-14209 Revision. 5 Product Standards MOS FET SK8403170L SK8403170L Silicon N-channel MOS FET Unit mm 3.25 For Load-switching / For DC-DC Converter 3.05 0.22 8 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance RDS(on) typ = 3.9 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 4 0.3 1.0

Другие транзисторы: 40314V1, 40314V2, 40315, 40315L, 40315S, 40315V1, 40315V2, 40316, 13007, 40317L, 40317S, 40317V1, 40317V2, 40318, 40319, 40319L, 40319S