40319V1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 40319V1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO5F

 Аналоги (замена) для 40319V1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

40319V1 даташит

 9.1. Size:2168K  panasonic
 sk840319.pdf pdf_icon

40319V1

Doc No. TT4-EA-14210 Revision. 6 Product Standards MOS FET SK8403190L SK8403190L Silicon N-channel MOS FET Unit mm 3.25 For Load-switching / For DC-DC Converter 3.05 0.22 8 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance RDS(on) typ = 10 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 4 0.3 1.0 Ma

Другие транзисторы: 40317L, 40317S, 40317V1, 40317V2, 40318, 40319, 40319L, 40319S, TIP31C, 40319V2, 40320, 40320L, 40320S, 40320V1, 40320V2, 40321, 40321L