9015A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 9015A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 9015A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9015A даташит

 ..1. Size:125K  semtech
 9015a 9015b 9015c 9015d.pdf pdf_icon

9015A

9015 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, A, B, C and D, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 9014 is recommended. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collec

 0.1. Size:344K  kec
 ktc9015a.pdf pdf_icon

9015A

SEMICONDUCTOR KTC9015A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(IC=-0.1mA)/hFE(IC=-2mA)=0.95(Typ.). N DIM MILLIMETERS Low Noise NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX Complementary to KTC9014A. G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MAXIMUM

Другие транзисторы: 9013H, 9014, 9014D, 9014E, 9014F, 9014G, 9014H, 9015, 2SC1815, 9015B, 9015C, 9015D, 9016, 9016D, 9016E, 9016F, 9016H