Биполярный транзистор 2G416 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2G416
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор биполярного транзистора по параметрам