AF143 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AF143 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO7
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AF143
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AF143 даташит
draf143e.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF143E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF143E DRA3143E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac
draf143x.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF143X Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF143X DRA3143X in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac
draf143z.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF143Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF143Z DRA3143Z in ML3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ML3-N4-B Contributes to miniaturization of sets, mount area reductio
draf143t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF143T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF143T DRA3143T in ML3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ML3-N4-B Contributes to miniaturization of
Другие транзисторы: AF133, AF134, AF135, AF136, AF137, AF138, AF139, AF142, 8050, AF144, AF146, AF147, AF148, AF149, AF150, AF164, AF165
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement




