AFY35 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AFY35 📄📄
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90
Корпус транзистора: TO39
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AFY35
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AFY35 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: AFY25, AFY26, AFY29, AFY30, AFY31, AFY32, AFY33, AFY34, BC547B, AFY36, AFY37, AFY38, AFY39, AFY40, AFY40R, AFY41, AFY42
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d
