Биполярный транзистор AM1011-055 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: AM1011-055
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: SO36
Аналоги (замена) для AM1011-055
AM1011-055 Datasheet (PDF)
am1011-075.pdf
AM1011-075RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND AVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.10:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2LFL (S036)hermetically sealed.P = 75 W MIN. WITH 9.2 dB GAINOUTORDER CODE BRANDINGAM1011-075 1011-75DESCRIPTIONPIN CONNE
am1011-070.pdf
AM1011-070RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND AVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P = 70 W MIN. WITH 6.7 dB GAINOUT.400 x .400 2NLFL (S042)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1011-70 1011-70DESCRIPTIONPIN CONNECTIONThe AM1011-070
am1011-300.pdf
AM1011-300RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTING.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .600 2LFL (M207).P 325 W MIN. WITH 7.7 dB GAINOUT =hermetically sealed.1030/1090 MHZ OPERATIONBRANDINGORDER CODEAM1011-300AM1011-300PIN CONNECTION
am1011-500.pdf
AM1011-500RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.P 500 W MIN. WITH 8.5 dB MIN.OUT =GAIN.10:1 LOAD VSWR CAPABILITY @ 10S.,1% DUTY.SIXPAC HERMETIC METAL/CERAMICPACKAGE.EMITTER SITE BALLASTED OVERLAY.400 x .600 2LFL (M198)GEOMETRYhermetically sealed.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.LOW THERMAL RESISTANCE ORDER CODEBRANDINGAM1011-500.INTERNAL INPUT/OUT
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS