AM1011-055 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AM1011-055 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5
Корпус транзистора: SO36
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AM1011-055
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AM1011-055 даташит
am1011-075.pdf
AM1011-075 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .10 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed .P = 75 W MIN. WITH 9.2 dB GAIN OUT ORDER CODE BRANDING AM1011-075 1011-75 DESCRIPTION PIN CONNE
am1011-070.pdf
AM1011-070 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P = 70 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN OUT .400 x .400 2NLFL (S042) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM1011-70 1011-70 DESCRIPTION PIN CONNECTION The AM1011-070
am1011-300.pdf
AM1011-300 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTING .LOW RF THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .600 2LFL (M207) .P 325 W MIN. WITH 7.7 dB GAIN OUT = hermetically sealed .1030/1090 MHZ OPERATION BRANDING ORDER CODE AM1011-300 AM1011-300 PIN CONNECTION
am1011-500.pdf
AM1011-500 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .P 500 W MIN. WITH 8.5 dB MIN. OUT = GAIN .10 1 LOAD VSWR CAPABILITY @ 10 S., 1% DUTY .SIXPAC HERMETIC METAL/CERAMIC PACKAGE .EMITTER SITE BALLASTED OVERLAY .400 x .600 2LFL (M198) GEOMETRY hermetically sealed .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .LOW THERMAL RESISTANCE ORDER CODE BRANDING AM1011-500 .INTERNAL INPUT/OUT
Другие транзисторы: ALZ10, AM0608-020, AM0608-070, AM0608-200, AM0608-450, AM0912-080, AM0912-150, AM0912-300, TIP31C, AM1011-070, AM1011-075, AM1011-300, AM1011-400, AM1011-500, AM1214-100, AM1214-175, AM1214-200
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet




