AM1011-500 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM1011-500  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M198

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM1011-500

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM1011-500 даташит

 ..1. Size:54K  st
 am1011-500.pdf pdf_icon

AM1011-500

AM1011-500 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .P 500 W MIN. WITH 8.5 dB MIN. OUT = GAIN .10 1 LOAD VSWR CAPABILITY @ 10 S., 1% DUTY .SIXPAC HERMETIC METAL/CERAMIC PACKAGE .EMITTER SITE BALLASTED OVERLAY .400 x .600 2LFL (M198) GEOMETRY hermetically sealed .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .LOW THERMAL RESISTANCE ORDER CODE BRANDING AM1011-500 .INTERNAL INPUT/OUT

 7.1. Size:59K  st
 am1011-300.pdf pdf_icon

AM1011-500

AM1011-300 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTING .LOW RF THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .600 2LFL (M207) .P 325 W MIN. WITH 7.7 dB GAIN OUT = hermetically sealed .1030/1090 MHZ OPERATION BRANDING ORDER CODE AM1011-300 AM1011-300 PIN CONNECTION

 7.2. Size:64K  st
 am1011-075.pdf pdf_icon

AM1011-500

AM1011-075 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .10 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2LFL (S036) hermetically sealed .P = 75 W MIN. WITH 9.2 dB GAIN OUT ORDER CODE BRANDING AM1011-075 1011-75 DESCRIPTION PIN CONNE

 7.3. Size:43K  st
 am1011-070.pdf pdf_icon

AM1011-500

AM1011-070 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P = 70 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN OUT .400 x .400 2NLFL (S042) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM1011-70 1011-70 DESCRIPTION PIN CONNECTION The AM1011-070

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: AM0912-080, AM0912-150, AM0912-300, AM1011-055, AM1011-070, AM1011-075, AM1011-300, AM1011-400, 2SC2073, AM1214-100, AM1214-175, AM1214-200, AM1214-300, AM1214-325, AM1416-100, AM1416-200, AM1517-012