AM1214-100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM1214-100  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 13.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SO38

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM1214-100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM1214-100 даташит

 6.1. Size:95K  st
 am1214-175.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-175 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .3 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2LFL (S038) .POUT = 160 W MIN. WITH 7.3 dB GAIN hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM1214-175 1214-175 PIN CONNECTION DESCRIPTI

 7.1. Size:92K  st
 am1214-300.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-300 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2LFL (S038) .P = 270 W MIN. WITH 6.3 dB GAIN OUT hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM1214-300 1214-300 PIN CONNECTION DESCRIP

 7.2. Size:64K  st
 am1214-325.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-325 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .500 2LFL (S038) .POUT 325 W MIN. WITH 6.4 dB GAIN hermetically sealed = ORDER CODE BRANDING AM1214-325 1214-325 PIN CONNECTION DESCRIPTI

 7.3. Size:57K  st
 am1214-200.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-200 RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 200 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN OUT = .400 x .500 2LFL (M205) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM1214-200 1214-200 PIN CONNECTION DESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: AM0912-150, AM0912-300, AM1011-055, AM1011-070, AM1011-075, AM1011-300, AM1011-400, AM1011-500, S9014, AM1214-175, AM1214-200, AM1214-300, AM1214-325, AM1416-100, AM1416-200, AM1517-012, AM1517-025