Справочник транзисторов. AM1214-100

 

Биполярный транзистор AM1214-100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AM1214-100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 13.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SO38
 

 Аналог (замена) для AM1214-100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM1214-100 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:95K  st
 am1214-175.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-175RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).POUT = 160 W MIN. WITH 7.3 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-175 1214-175PIN CONNECTIONDESCRIPTI

 7.1. Size:92K  st
 am1214-300.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-300RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).P = 270 W MIN. WITH 6.3 dB GAINOUThermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-300 1214-300PIN CONNECTIONDESCRIP

 7.2. Size:64K  st
 am1214-325.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-325RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).POUT 325 W MIN. WITH 6.4 dB GAIN hermetically sealed=ORDER CODE BRANDINGAM1214-325 1214-325PIN CONNECTIONDESCRIPTI

 7.3. Size:57K  st
 am1214-200.pdf pdf_icon

AM1214-100

AM1214-200RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 200 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT =.400 x .500 2LFL (M205)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-200 1214-200PIN CONNECTIONDESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... AM0912-150 , AM0912-300 , AM1011-055 , AM1011-070 , AM1011-075 , AM1011-300 , AM1011-400 , AM1011-500 , 2SC4793 , AM1214-175 , AM1214-200 , AM1214-300 , AM1214-325 , AM1416-100 , AM1416-200 , AM1517-012 , AM1517-025 .

History: PDTD123YS

 

 
Back to Top

 


 
.