Биполярный транзистор AM1214-325 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: AM1214-325
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 360 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SO38
Аналоги (замена) для AM1214-325
AM1214-325 Datasheet (PDF)
am1214-325.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AM1214-325RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).POUT 325 W MIN. WITH 6.4 dB GAIN hermetically sealed=ORDER CODE BRANDINGAM1214-325 1214-325PIN CONNECTIONDESCRIPTI
am1214-300.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AM1214-300RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).P = 270 W MIN. WITH 6.3 dB GAINOUThermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-300 1214-300PIN CONNECTIONDESCRIP
am1214-200.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AM1214-200RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 200 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT =.400 x .500 2LFL (M205)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-200 1214-200PIN CONNECTIONDESCRIPTION
am1214-175.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AM1214-175RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).POUT = 160 W MIN. WITH 7.3 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-175 1214-175PIN CONNECTIONDESCRIPTI
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: AM1011-500