Справочник транзисторов. AM1214-325

 

Биполярный транзистор AM1214-325 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: AM1214-325
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 360 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SO38

 Аналоги (замена) для AM1214-325

 

 

AM1214-325 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  st
am1214-325.pdf

AM1214-325 AM1214-325

AM1214-325RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).POUT 325 W MIN. WITH 6.4 dB GAIN hermetically sealed=ORDER CODE BRANDINGAM1214-325 1214-325PIN CONNECTIONDESCRIPTI

 6.1. Size:92K  st
am1214-300.pdf

AM1214-325 AM1214-325

AM1214-300RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).P = 270 W MIN. WITH 6.3 dB GAINOUThermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-300 1214-300PIN CONNECTIONDESCRIP

 7.1. Size:57K  st
am1214-200.pdf

AM1214-325 AM1214-325

AM1214-200RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 200 W MIN. WITH 7.0 dB GAINOUT =.400 x .500 2LFL (M205)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-200 1214-200PIN CONNECTIONDESCRIPTION

 7.2. Size:95K  st
am1214-175.pdf

AM1214-325 AM1214-325

AM1214-175RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .500 2LFL (S038).POUT = 160 W MIN. WITH 7.3 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM1214-175 1214-175PIN CONNECTIONDESCRIPTI

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: AM1011-500

 

 
Back to Top