Справочник транзисторов. AM81214-006

 

Биполярный транзистор AM81214-006 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AM81214-006
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 48 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 48 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.82 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SO64
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

AM81214-006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  st
 am81214-006.pdf pdf_icon

AM81214-006

AM81214-006RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.310 x .310 2LFL (S064).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.POUT 5.5 W MIN. WITH 10 dB GAIN=ORDER CODE BRANDINGAM81214-6 81214-6PIN CONNECTIONDESCRIPTIO

 5.1. Size:94K  st
 am81214-030.pdf pdf_icon

AM81214-006

AM81214-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGEDIZED VSWR:1.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealed.P = 26 W MIN. WITH 7.2 dB GAINOUTORDER CODE BRANDINGAM81214-030 81214-30DESCRIPTIONPIN CO

 5.2. Size:95K  st
 am81214-060.pdf pdf_icon

AM81214-006

AM81214-060RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGEDIZED VSWR :1.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042)hermetically sealed.POUT 55 W MIN. WITH 6.6 dB GAIN=ORDER CODE BRANDINGAM81214-060 81214-60DESCRIPTIONPIN C

 7.1. Size:64K  st
 am81214.pdf pdf_icon

AM81214-006

AM81214-015RF & MICROWAVE TRANSISTORSL-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.310 x .310 2LFL (S064).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 14.5 W MIN. WITH 8.6 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM 81214-015 81214-15PIN CONNECTIONDES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: FMMT2906 | SRC1210SF | 2SC779 | BF460EA | BU931ZP | 2SD1074 | ESM2894

 

 
Back to Top

 


 
.