AM83135-003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM83135-003  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SO64

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM83135-003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM83135-003 даташит

 5.1. Size:57K  st
am83135-03.pdfpdf_icon

AM83135-003

AM83135-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-030 AM83135-30 DESCRIPTION The AM83135

 5.2. Size:44K  st
am83135-04.pdfpdf_icon

AM83135-003

AM83135-040 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 40 W MIN. WITH 5.1 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-040 AM83135-40 DESCRIPTION The AM83135

 5.3. Size:61K  st
am83135-05.pdfpdf_icon

AM83135-003

AM83135-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN = hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-005 83135-5 DESCRIPTION PIN CONNE

 5.4. Size:61K  st
am83135-015.pdfpdf_icon

AM83135-003

AM83135-015 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) ORDER CODE BRANDING DESCRIPTION AM83131-015 83135-15 The AM83135-015 device is a high po

Другие транзисторы: AM82325-040, AM82325-050, AM82731-003, AM82731-006, AM82731-012, AM82731-025, AM82731-050, AM83135-001, D965, AM83135-005, AM83135-010, AM83135-015, AM83135-030, AM83135-040, AM83135-050, AR220GY, ASX11