Справочник транзисторов. AM83135-003

 

Биполярный транзистор AM83135-003 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AM83135-003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SO64
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

AM83135-003 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:57K  st
 am83135-03.pdf pdf_icon

AM83135-003

AM83135-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-030 AM83135-30DESCRIPTIONThe AM83135

 5.2. Size:44K  st
 am83135-04.pdf pdf_icon

AM83135-003

AM83135-040RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 40 W MIN. WITH 5.1 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-040 AM83135-40DESCRIPTIONThe AM83135

 5.3. Size:61K  st
 am83135-05.pdf pdf_icon

AM83135-003

AM83135-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN=hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-005 83135-5DESCRIPTIONPIN CONNE

 5.4. Size:61K  st
 am83135-015.pdf pdf_icon

AM83135-003

AM83135-015RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)ORDER CODE BRANDINGDESCRIPTION AM83131-015 83135-15The AM83135-015 device is a high po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: PXT8050-C | S1202 | 2N4237 | 2N6079 | 2SC1238 | 2PA1774S | STB1188

 

 
Back to Top

 


 
.