AM83135-050 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AM83135-050 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SO64
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AM83135-050
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AM83135-050 даташит
am83135-05.pdf
AM83135-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN = hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-005 83135-5 DESCRIPTION PIN CONNE
am83135-03.pdf
AM83135-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-030 AM83135-30 DESCRIPTION The AM83135
am83135-04.pdf
AM83135-040 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 40 W MIN. WITH 5.1 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-040 AM83135-40 DESCRIPTION The AM83135
am83135-015.pdf
AM83135-015 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) ORDER CODE BRANDING DESCRIPTION AM83131-015 83135-15 The AM83135-015 device is a high po
Другие транзисторы: AM82731-050, AM83135-001, AM83135-003, AM83135-005, AM83135-010, AM83135-015, AM83135-030, AM83135-040, BC556, AR220GY, ASX11, ASX12, ASY10, ASY11, ASY12, ASY12-1, ASY12-2
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: ASX12 | 2SC4288A | 2SA2102
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent





