Биполярный транзистор ASY55N Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ASY55N
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 23 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO1
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам