Биполярный транзистор BC160-6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC160-6
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO39
BC160-6 Datasheet (PDF)
bc160-bc161.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D110BC160; BC161PNP medium power transistorsProduct specification 1997 May 12Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC160; BC161FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2
bc160-bc161.pdf
BC160BC161GENERAL PURPOSE TRANSISTORSDESCRIPTIONThe BC160, and BC161 are silicon planar epitaxialPNP transistors in TO-39 metal case.They are par-ticurlarly designed foraudio amplifiers and switchingapplications up to 1A. The complementary NPNtypes are the BC140 and BC141.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSValueSymbol Parameter UnitBC160 BC161VC
bc160 bc161.pdf
Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC160; BC161FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector, connected to case General purpose applications.DESCRIPTION 1handbook, halfpage32PNP medium power transistor in a TO-39 metal package.NPN complements: B
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
