Справочник транзисторов. 2N2645

 

Биполярный транзистор 2N2645 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N2645
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N2645

 

 

2N2645 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:148K  motorola
2n2639 2n2640-44.pdf

2N2645
2N2645

 9.2. Size:489K  philips
2n2646.pdf

2N2645
2N2645

 9.3. Size:62K  central
2n2646 2n2647.pdf

2N2645

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:116K  comset
2n2647.pdf

2N2645
2N2645

2N2646 2N2647 SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Silicon Planar Unijunction Transistors have a structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as zell as a much higher base-one peak pulse voltage. In addition, these devices are much faster switches. The 2N2646 is intended for general purpose industrial applications where circuit economy is of pr

 9.5. Size:133K  bocasemi
2n2646 2n2647.pdf

2N2645
2N2645

Boca Semiconductor Corp. (BSC)http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

Другие транзисторы... 2N2641 , 2N2641DCSM , 2N2642 , 2N2642DCSM , 2N2643 , 2N2643DCSM , 2N2644 , 2N2644DCSM , D882P , 2N2648 , 2N2649 , 2N265 , 2N2650 , 2N2651 , 2N2652 , 2N2652A , 2N2654 .

 

 
Back to Top