Биполярный транзистор BC309PA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC309PA
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: TO92
BC309PA Datasheet (PDF)
bc307 bc308 bc309.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC307/DAmplifier TransistorsBC307,B,CPNP SiliconBC308CCOLLECTORBC309B12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC BC307 308C 309Rating Symbol UnitCASE 2904, STYLE 17TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 45 25 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 50 30 30 VdcE
bc307 bc308 bc309.pdf
BC307/308/309Switching and Amplifier Applications Low Noise: BC309TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage : BC307 -50 V: BC308/309 -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage: BC307 -45 V: BC308/309 -25 VVEBO Emitter-Base Volta
bc307 bc308 bc309 a b c.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC 307, A, B, CBC 308, A, B, CBC 309, A, B, CTO-92Plastic PackageGeneral Purpose Transistors Deisgned For Small Signal Amplification From DC To Low Radio FrequenciesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BC307
bc307 bc308 bc309.pdf
SEMICONDUCTOR BC307/8/9TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. B CFEATURES High Voltage : BC307 VCEO=-45V.Low Noise : BC309 NF=0.2dB(Typ.), 3dB(Max.)N DIM MILLIMETERS(VCE=-6V, IC=-0.1mA, f=1kHz).A 4.70 MAXEKFor Complementary With NPN type BC237/238/239. G B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.2
bc177 bc178 bc179 bc257 bc258 bc259 bc307 bc308 bc309 bc320 bc321 bc322.pdf
bc307 bc308 bc309.pdf
BC307/308/309(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features Amplifier dissipation NPN Silicon MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsCollector-Emitter Voltage BC307 -45 VCEO V BC308/309 -25 Emitter-Base Voltage BC307 -6 VEBO V BC308/309 -5 Collector Current -Continuous -0.1 IC A Collec
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050