Биполярный транзистор BC338-16 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC338-16
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC338-16 Datasheet (PDF)
bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf

BC337-xBK / BC338-xBKBC337-xBK / BC338-xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2010-05-270.1 Power dissipation 625 mW4.6VerlustleistungPlastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gPlastic material has UL classification 94V-0C B EGehusematerial UL9
bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf

MCCBC337-16/25/40TM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsBC338-16/25/40CA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesNPN Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. Collector-current 0.8A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338) Transistors Lead Free Fin
bc337 bc338.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC337/DAmplifier TransistorsNPN SiliconBC337,-16,-25,-40BC338,-16,-25,-40COLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol BC337 BC338 UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 45 25 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 50 30 VdcEmitterBase Voltage VEB
bc337 bc338.pdf

BC337/338Switching and Amplifier Applications Suitable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC327/BC328TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage : BC337 50 V: BC338 30 VVCEO Collector-Emitter Volt
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SB920LS | 2SA512R | ME0401 | BC183K | 2SC3897 | BC183CP | 2N5606
History: 2SB920LS | 2SA512R | ME0401 | BC183K | 2SC3897 | BC183CP | 2N5606



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement